Chroma 19036致茂安規(guī)綜合測(cè)試儀為繞線組件電氣安規(guī)掃描分析儀結(jié)合了耐壓測(cè)試 (AC/DC)、絕緣電阻測(cè)量 (IR)、直流電阻測(cè)量 (DCR) 與脈沖測(cè)試( IWT) 于一臺(tái)單機(jī)，擁有耐壓測(cè)試最高AC 5kV/DC 6kV、絕緣電阻測(cè)量最高DC 5kV、四線式直流電阻測(cè)量范圍2mΩ~2MΩ與脈沖測(cè)試最高DC 6kV，且擁有10通道可執(zhí)行一次多個(gè)待測(cè)物的掃描測(cè)試，搭配外接信道掃描盒最多可達(dá)到40信道的多組掃描測(cè)試，能節(jié)省測(cè)試時(shí)間及人力成本，并大幅提升生產(chǎn)效率。

19036可針對(duì)馬達(dá)、變壓器、電感等繞線組件產(chǎn)品進(jìn)行安規(guī)測(cè)試，讓繞線組件的生產(chǎn)制造商及用戶在產(chǎn)品檢驗(yàn)時(shí)，能更有效率地為產(chǎn)品質(zhì)量把關(guān)。

線圈會(huì)發(fā)生絕緣不良通常是因?yàn)槌跏荚O(shè)計(jì)不良、加工制程不良或是絕緣材料劣化等導(dǎo)致線圈發(fā)生圈與圈之間的層間短路、線圈與磁芯的絕緣不良或是線圈與接腳短路。在產(chǎn)品制造的測(cè)試項(xiàng)目中加入脈沖測(cè)試可對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行多種缺陷的分析測(cè)量，進(jìn)而提升繞線組件產(chǎn)品的生產(chǎn)質(zhì)量。

脈沖測(cè)試擁有面積比較、面積差比較、顫動(dòng)量偵測(cè)、二次微分、波峰差比、諧振面積比與頻率差比的判定，可針對(duì)線圈的層間絕緣不良、質(zhì)量不良及感量差異進(jìn)行有效的檢測(cè)與分析。

19036具備四線式直流電阻測(cè)量技術(shù)，每通道含有Drive與Sense的接口，單機(jī)可提供10通道的四線式直流電阻測(cè)量；直流電阻測(cè)量也具備溫度補(bǔ)償功能，可配合溫度探棒對(duì)待測(cè)物或環(huán)境溫度進(jìn)行測(cè)量后，進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)淖柚涤?jì)算。

19036擁有高速接觸檢查 (HSCC) 及開(kāi)路檢查(OSC) 的功能，在執(zhí)行測(cè)試前快速地為每個(gè)通道檢查待測(cè)物的接觸/連接是否良好以及待測(cè)物是否有開(kāi)路或短路的問(wèn)題，可解決因待測(cè)物接觸不良而導(dǎo)致測(cè)試失敗或無(wú)效測(cè)試的問(wèn)題。

19036的耐壓測(cè)試具有500VA的輸出功率設(shè)計(jì)，符合IEC/UL對(duì)輸出功率的要求 (如馬達(dá)的安規(guī)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)UL1004-1、GB14711)，可輸出及測(cè)量電流AC最大120mA (<4kV)/DC最大20mA，滿足漏電流較大或大型設(shè)備的電氣安規(guī)測(cè)試需求。

致茂安規(guī)綜合測(cè)試儀19036產(chǎn)品特點(diǎn)：

■ 五合一安規(guī)掃描分析儀 (交流耐壓、直流耐壓、絕緣電阻、直流電阻、脈沖測(cè)試)

■ 耐壓測(cè)試 (Hi-pot)- 交流最大AC 5kV / 直流最大DC 6kV- 高頻接觸檢查 (HFCC)

■ 絕緣電阻測(cè)量 (IR)- 最大 5kV

■ 直流電阻測(cè)量 (DCR)- 直流電阻平衡功能 (DCR Balance)

■ 脈沖測(cè)試 (IWT)- 波形取樣率 (200MHz)- 崩潰電壓分析模式的2種判定· 面積比較 (Area)· 二次微分 (Laplacian)- 測(cè)試模式的7種判定· 面積比較 (Area)· 面積差比較 (Differential Area)· 顫動(dòng)量偵測(cè) (Flutter)· 二次微分 (Laplacian)· 波峰差比 (Peak%)· 諧振面積比 (Resonant Area)· 頻率差比 ( fr%)

■ Δ/Y型直流電阻 (/Y DCR)

■ 脈沖測(cè)試比較 (IWT CMP)

■ 高速接觸檢查 (HSCC)

■ 開(kāi)路檢查 (OSC)

■ 支持3302/3252感量、Q值量測(cè) (選購(gòu))- 電感 (Lx)- 電感平衡 (Lx Balance)

■ 人體接地保護(hù)功能 (GFI)

■ 支持最多40信道掃描測(cè)試

■ USB數(shù)據(jù)儲(chǔ)存及畫面擷取功能

■ 標(biāo)準(zhǔn)LAN、USB、RS232接口

■ 操作接口( 英文、繁中、簡(jiǎn)中)

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

耐壓測(cè)試

■ 電氣閃絡(luò)偵測(cè) Flashover Detection (ARC)

電氣閃絡(luò)的現(xiàn)象是因電位差或電場(chǎng)強(qiáng)度足以導(dǎo)致絕緣材料的內(nèi)部或表面失去原有的絕緣特性所產(chǎn)生的瞬時(shí)或非連續(xù)性放電。當(dāng)放電的能量釋放足以對(duì)產(chǎn)品的絕緣材料造成傷害，絕緣材料就會(huì)發(fā)生碳化導(dǎo)致導(dǎo)電通路的形成進(jìn)而使產(chǎn)品短路。如果只以漏電流做為判定條件，將無(wú)法檢測(cè)出會(huì)發(fā)生異常放電的不良產(chǎn)品，所以需要以電壓或漏電流的變化率作為判定的條件，才能有效的檢測(cè)出會(huì)發(fā)生異常放電的不良品。因此，電氣閃絡(luò)偵測(cè)為耐壓測(cè)試的檢驗(yàn)項(xiàng)目之一，19036的AC與DC Hi-pot測(cè)試模式也都具備偵測(cè)漏電流變化率的電氣閃絡(luò)偵測(cè)功能。

直流電阻測(cè)量 (DCR)

■ 四線式測(cè)量/兩線式測(cè)量 4-wire Measurement / 2-wire Measurement19036 的10個(gè)通道都擁有四線式直流電阻測(cè)量(2mΩ~2MΩ)的能力，可提供馬達(dá)及變壓器等多線圈繞組的繞線組件高準(zhǔn)確度的直流電阻測(cè)量。此外，搭配外接掃描盒最多可支持40通道測(cè)量。掃描盒:• 四線式測(cè)量: A190362 (搭配四線式高壓測(cè)試線)• 兩線式測(cè)量: A190359 (搭配兩線式高壓測(cè)試線)

■ 直流電阻平衡 (DCR Balance)

馬達(dá)的直流電阻不平衡時(shí)，容易因?yàn)樾D(zhuǎn)不平衡造成較多的能量損耗與顫動(dòng)，長(zhǎng)時(shí)間使用會(huì)導(dǎo)致質(zhì)量逐漸不良。直流電阻平衡模式的判定方式是將所有繞組中最大的直流電阻值與最小的直流電阻值比較差異，若差異超過(guò)允許的設(shè)定范圍即判定為不良品，這是馬達(dá)類產(chǎn)品可靠度測(cè)試的有效輔助工具。

■ 溫度補(bǔ)償功能 (Temperature Compensation)

當(dāng)測(cè)量較小的直流電阻值時(shí)，常會(huì)遇到因?yàn)闇夭钏斐傻臏y(cè)量差異問(wèn)題。所以，當(dāng)環(huán)境溫度不同時(shí)，直流電阻值的量測(cè)結(jié)果會(huì)隨著溫度的不同而有所差異。19036的溫度補(bǔ)償功能(Temp. Compensation)搭配溫度探棒并透過(guò)溫度系數(shù)將測(cè)量到的直流電阻值換算為目標(biāo)溫度下的電阻值，減少溫度差異所造成的影響。

接觸檢查功能

█ 高速接觸檢查 High Speed Contact Check (HSCC)

當(dāng)測(cè)試回路發(fā)生開(kāi)路時(shí)，不良品可能會(huì)被誤判為良品，導(dǎo)致測(cè)試的結(jié)果無(wú)效。若測(cè)試回路發(fā)生短路時(shí)，需于耐壓測(cè)試前提早得知，減少對(duì)治具設(shè)備的傷害。高速接觸檢查可更快速地掃描所有測(cè)試回路上的待測(cè)物接觸是否正常/良好，可讓耐壓測(cè)試前的接觸檢查比以往更快完成。

█ 開(kāi)路檢查 Open Short Contact (OSC)

開(kāi)短路檢查可偵測(cè)測(cè)試治具與待測(cè)物之間是否有開(kāi)路 (接觸不良) 以及繞組與鐵芯間是否有短路。開(kāi)短路檢查的判斷標(biāo)準(zhǔn)為測(cè)試回路上的電容值，當(dāng)測(cè)試治具與待測(cè)物確實(shí)接上時(shí)，測(cè)試回路的電容值就會(huì)在允許的范圍內(nèi)。但是當(dāng)測(cè)試治具與待測(cè)物未接觸時(shí)，測(cè)試回路的電容值就會(huì)低于允許的范圍，被判定為開(kāi)路；當(dāng)測(cè)試治具或待測(cè)物有短路時(shí)，測(cè)試回路的電容值就會(huì)高于允許的范圍，被判定為短路。

█ 高頻接觸檢查 High Frequency Contact Check (HFCC)

19036的AC與DC Hi-pot測(cè)試模式都具備高頻接觸檢查。高頻接觸檢查與開(kāi)短路檢查類似，但是使用較高的測(cè)試頻率來(lái)提高對(duì)較小電容值(1pF~100pF)的開(kāi)短路檢查。

副步驟功能 (SUB-Step)

生產(chǎn)線經(jīng)常為了提升生產(chǎn)的檢測(cè)速度，以并聯(lián)的方式同時(shí)對(duì)多個(gè)待測(cè)物 (測(cè)試點(diǎn)) 執(zhí)行耐壓測(cè)試，但當(dāng)并聯(lián)測(cè)試的結(jié)果為不良時(shí)，因難以區(qū)分各別產(chǎn)品為良品還是不良品，導(dǎo)致需將這些產(chǎn)品移至后測(cè)站來(lái)區(qū)分良品與不良品，反而增加測(cè)試站的總數(shù)及生產(chǎn)成本。副步驟功能 (SUB-Step)是 將主步驟的不良判定 (FAIL) 結(jié)果做為觸發(fā)執(zhí)行副步驟的條件，所以當(dāng)主步驟 (并聯(lián)) 測(cè)試的結(jié)果為不良時(shí)，測(cè)試流程才會(huì)進(jìn)入副步驟(單顆)進(jìn)行各別測(cè)試，可快速判斷出不良品使產(chǎn)能與檢測(cè)質(zhì)量得到優(yōu)化。

人體接地保護(hù)功能 (GFI)

人體接地保護(hù)功能 (GFI) 是用來(lái)保護(hù)測(cè)試人員。當(dāng)測(cè)試人員突然發(fā)生人體感電的情形時(shí)，人體接地保護(hù)功能能夠立即切斷輸出來(lái)保護(hù)測(cè)試人員不受電氣傷害。人體接地保護(hù)功能利用比較返回的總電流 (i2) 與機(jī)器Return端的電流 (i1) 來(lái)偵測(cè)從地端 (Earth/GND) 流回機(jī)器的電流 (iH) 大小。當(dāng)從地端流回的電流 (iH) 大于0.5mA (Typ.) 時(shí)，則會(huì)立即切斷輸出。

脈沖測(cè)試原理

『脈沖測(cè)試』是使用合適的測(cè)試電壓對(duì)繞線組件施加一個(gè)『非破壞性』、高速、低能量的脈沖電壓，藉由分析／比對(duì)待測(cè)物與樣品之等效波形的差異達(dá)到判定待測(cè)物為良品或不良品。對(duì)繞線組件施加脈沖測(cè)試主要是為了找出繞線組件的潛在缺陷，例如: 層間短路、電暈放電等，也可利用待測(cè)物自體的雜散電容與電感所產(chǎn)生諧振波形的振蕩衰減狀態(tài)來(lái)判定產(chǎn)品質(zhì)量，此震蕩衰減的狀態(tài)表現(xiàn)了待測(cè)物的線圈在工作時(shí)的能量損耗狀態(tài)。在開(kāi)關(guān)導(dǎo)通 (ON) 時(shí)，脈沖電壓會(huì)施加在待測(cè)物上，利用施加在待測(cè)物上的測(cè)試電壓檢測(cè)待測(cè)物圈與圈之間的絕緣距離是否足夠；在開(kāi)關(guān)截止 (OFF) 時(shí)，待測(cè)物會(huì)與自體的雜散電容產(chǎn)生諧振，利用自體諧振波形的衰減狀態(tài)對(duì)待測(cè)物的質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè)。

面積比較 (Area)

當(dāng)開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，脈沖電壓會(huì)施加在待測(cè)物上，待測(cè)物會(huì)與測(cè)試回路上的電容產(chǎn)生諧振，利用電壓的峰值對(duì)待測(cè)物圈與圈之間的絕緣距離進(jìn)行檢測(cè)。當(dāng)待測(cè)物圈與圈之間的絕緣距離不足以承受脈沖測(cè)試的電壓時(shí)，圈與圈之間就會(huì)發(fā)生放電，導(dǎo)致諧振波形的總面積變小。當(dāng)開(kāi)關(guān)截止時(shí)，待測(cè)物會(huì)與自體的雜散電容產(chǎn)生諧振，利用自體諧振波形的衰減狀態(tài)對(duì)待測(cè)物的質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè)。自體諧振波形的衰減狀態(tài)會(huì)受到待測(cè)物質(zhì)量的影響，當(dāng)待測(cè)物的質(zhì)量越差時(shí)，自體諧振波形衰減的速度越快，則待測(cè)物諧振波形的總面積就會(huì)小于樣品諧振波形的總面積。因此，面積比較可以用來(lái)檢測(cè)出絕緣距離不足或質(zhì)量不良的產(chǎn)品。

面積差比較 (Differential Area)

當(dāng)脈沖電壓施加在待測(cè)物上時(shí)，待測(cè)物會(huì)與回路上的電容產(chǎn)生諧振。如果待測(cè)物的感量與樣品不同，待測(cè)物的諧振頻率也會(huì)與樣品的諧振頻率不同。因此，待測(cè)物的諧振波形與樣品的諧振波形就會(huì)有不重迭的面積產(chǎn)生。面積差比較會(huì)計(jì)算出待測(cè)物諧振波形與樣品諧振波形之間不重迭的面積總和，并與樣品諧振波形的總面積做比較以百分比顯示。建議搭配面積比較 (Area) 一起使用，可用于篩出感量與樣品有明顯差異的待測(cè)物。

顫動(dòng)量偵測(cè) (Flutter)

當(dāng)脈沖電壓施加在待測(cè)物上時(shí)，圈與圈之間的絕緣距離不足但尚未到達(dá)絕緣崩潰的程度，就會(huì)發(fā)生小的電氣放電(如:電暈放電)。因?yàn)檫@個(gè)小的電氣放電釋放的能量比絕緣崩潰小，所以對(duì)諧振波形的總面積沒(méi)有造成太多的影響。因此，使用面積比較來(lái)偵測(cè)發(fā)生小的電氣放電是困難的。顫動(dòng)量偵測(cè)會(huì)計(jì)算諧振波形垂直 (上下) 的總變化量，并比較待測(cè)物與樣品之間的差異。當(dāng)發(fā)生小的電氣放電時(shí)，因?yàn)橹C振波形上發(fā)生顫動(dòng)，所以波形垂直的總變化量會(huì)增加。因此，可利用諧振波形垂直的總變化量的增加來(lái)偵測(cè)是否有發(fā)生小的電氣放電。

二次微分 (Laplacian)

當(dāng)發(fā)生小的電氣放電(如: 電暈放電)時(shí)，因?yàn)橹C振波形上發(fā)生顫動(dòng)，所以使原本應(yīng)該平滑的諧振波形變得不平滑。因此，諧振波形會(huì)有劇烈的斜率變化。二次微分偵測(cè)利用二次微分的計(jì)算找出諧振波形最大的斜率變化。所以，可使用二次微分偵測(cè)出因小的電氣放電造成諧振波形發(fā)生劇烈的斜率變化，并有效地將在脈沖測(cè)試的過(guò)程中發(fā)生小的電氣放電的不良品篩檢出來(lái)。

波峰差比 (?Peak%)

波峰比(Peak Ratio)與待測(cè)物的能量損耗表現(xiàn)有互相關(guān)聯(lián)的關(guān)系，而待測(cè)物的能量損耗表現(xiàn)則與待測(cè)物的質(zhì)量／Q值也有互相關(guān)聯(lián)的關(guān)系。波峰比會(huì)自動(dòng)找出諧振波形的第三個(gè)及第五個(gè)電壓峰值，并計(jì)算出諧振波形的第五個(gè)電壓峰值除以第三個(gè)電壓峰值后的百分比，減少設(shè)定上的復(fù)雜度讓使用者更容易使用。待測(cè)物的品質(zhì)／Q值越差時(shí)，待測(cè)物諧振波形的衰減速度也會(huì)越快，波峰比就會(huì)越小。

當(dāng)待測(cè)物的質(zhì)量比樣品差或待測(cè)物的諧振波形的衰減速度比樣品快時(shí)，待測(cè)物的波峰比就會(huì)比樣品的波峰比低。因波峰差比(ΔPeak%)將待測(cè)物諧振波形的波峰比與樣品諧振波形的波峰比相減對(duì)待測(cè)物與樣品進(jìn)行波峰比的差異比較，所以波峰差比會(huì)得到負(fù)數(shù)的結(jié)果。波峰差比可有效地將比樣品能量損耗表現(xiàn)較差的待測(cè)物篩選出來(lái)。

諧振面積比 (?Resonant Area)

當(dāng)開(kāi)關(guān)截止時(shí)，待測(cè)物會(huì)與自體的雜散電容產(chǎn)生諧振，利用自體諧振波形的衰減狀態(tài)對(duì)待測(cè)物的質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè)。自體諧振波形的衰減狀態(tài)會(huì)受到待測(cè)物質(zhì)量的影響，當(dāng)待測(cè)物的質(zhì)量越差時(shí)，自體諧振波形衰減的速度越快，則待測(cè)物諧振波形的總面積就會(huì)小于樣品諧振波形的總面積。諧振面積比與面積比較非常相似，其差別在于諧振面積比只比較在開(kāi)關(guān)截止后待測(cè)物諧振波形與樣品諧振波形的總面積差異。因此，諧振面積比可以比面積比較更靈敏的篩檢出質(zhì)量較差的產(chǎn)品。

頻率差比 (?fr%)

當(dāng)開(kāi)關(guān)截止時(shí)，待測(cè)物會(huì)與自體的雜散電容產(chǎn)生諧振，利用待測(cè)物與樣品諧振頻率的差異可對(duì)待測(cè)物的感量或雜散容量進(jìn)行檢測(cè)。因?yàn)橹C振頻率與感量或雜散容量成反比，所以當(dāng)諧振頻率越高表示感量或雜散容量越小。換句話說(shuō)，諧振波形的頻率越低表示感量或雜散容量越大。頻率差比是利用待測(cè)物自體的諧振頻率與感量或雜散容量的互相關(guān)系來(lái)對(duì)待測(cè)物與樣品進(jìn)行感量或雜散容量差異的比較，頻率差比會(huì)計(jì)算出待測(cè)物與樣品諧振波形的頻率差異百分比。這就是為什么頻率差比可以被用來(lái)檢測(cè)待測(cè)物與樣品的感量或雜散容量差異。

脈沖測(cè)試比較 (IWT Compare)

當(dāng)三相馬達(dá)定子的三個(gè)繞組差異過(guò)大時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致馬達(dá)轉(zhuǎn)子發(fā)生旋轉(zhuǎn)不平衡的現(xiàn)象。脈沖測(cè)試比較可將不同繞組/相位的線圈進(jìn)行脈沖測(cè)試的交叉比對(duì)，并篩選出繞組/相位之間互相差異過(guò)大的產(chǎn)品。

崩潰電壓分析模式 (IWT BDV Mode)

崩潰電壓分析可測(cè)試出繞線組件最高可承受的耐壓極限，產(chǎn)品研究開(kāi)發(fā)人員可利用崩潰電壓分析模式對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行分析與研究，并對(duì)產(chǎn)品較弱的地方進(jìn)行改善。崩潰電壓分析模式是將測(cè)試電壓從起始電壓 (Vstart) 依步序 (Vstep) 的百分比逐步上升至結(jié)束電壓 (Vend)。在測(cè)試電壓上升的過(guò)程中，會(huì)將每一步測(cè)試電壓的諧振波形與前一步測(cè)試電壓的諧振波形做比較。當(dāng)面積比較 (Area)、二次微分 (Laplacian) 的值超過(guò)設(shè)定的上下限，表示待測(cè)物的圈與圈之間已經(jīng)發(fā)生絕緣異常的現(xiàn)象，則前一次的測(cè)試電壓會(huì)被判定為待測(cè)物的最高耐壓，也就是它的崩潰電壓。

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19036 : 繞線組件電氣安規(guī)掃描分析儀

A131002 : 4端BNC對(duì)4端BNC測(cè)試線

A165015 : 溫度測(cè)棒PT100

A190359 : 16HV 高壓掃瞄治具

A190360 : 19036 19"機(jī)框耳架

A190361 : 19036 數(shù)據(jù)收集軟件

A190362 : 16HV 四線式高壓掃瞄治具

A190363 : 雙十字高壓香蕉頭+測(cè)試夾

A190364 : 雙十字高壓香蕉頭+截平頭 (1.5M)

A190365 : 雙十字高壓香蕉頭+截平頭 (3M)